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内部透码彩票彩图平台: MOS(場效應管)/IRF740PBF 管裝
商品型號:IRF740PBF PDF數據手冊)

起售量(pcs)價格
1~9件¥4.17/件 (折合1管208.5元)
10~29件¥2.84/件 (折合1管142元)
30~99件¥2.59/件 (折合1管129.5元)
100~499件¥2.37/件 (折合1管118.5元)
500~999件¥2.23/件 (折合1管111.5元)
1000 件以上¥2.14/件 (折合1管107元)
已售出: 7323件 (1管有50件) 貨期:2-4天
數量:
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  • 商品名稱:IRF740PBF 管裝
  • 商品品牌:IR
  • 商品類別:MOS(場效應管)
  • 二級分類:MOS(場效應管)
  • 商品型號:

    IRF740PBF

  • 封裝規格:TO-220(TO-220-3)
  • 商品編號:B1061459
  • 商品重量:0.000100kg
IRF740PBF中文資料
<a href = "/items/irf740pbf-cn-1-id-12086.html">IRF740PBF</a>中文資料第1頁精選內容: HEXFET? 功率MOSFET PD - 95724升第五代技術升超低導通電阻升 N通道MOSFET升表面貼裝升可用卷帶包裝升動態DV / DT額定值升快速切換升無鉛描述 INTERNATIONAL RECTIFIER的第五代HEXFET利用先進的加工技術來實現盡可能降低每個硅片面積的導通電阻.這個好處,結合快速切換速度和 HEXFET POWER的堅固耐用的器件設計 MOSFET是眾所周知的,為設計者提供用一個非常有效的設備廣泛使用各種應用程序. SO-8已經通過定制進行了修改用于增強熱特性的引線框架多芯片功能使其成為各種應用的理想選擇 POWERAPPLICATIONS. WITHTHESEIMPROVEMENTS,多設備可以在應用程序中顯著使用減少電路板空間.該包是專為蒸汽相,紅外線或波峰焊技術.功耗大于0.8W是可能的一個典型的PCB安裝應用. IRF7401PBF SO-8 V DSS = 20V R DS(ON) =0.022Ω參數最大.單位 I D @ T A = 25°C 10秒 脈沖漏電流,V GS @ 4.5V 10 I D @ T A = 25°C 漏極連續電流,V GS @ 4.5V 8.7 I D @ T A = 70°C 漏極連續電流,V GS @ 4.5V 7 我是 DM脈沖漏電流 35 P D @T A = 25°C功耗 2.5 W ^線性降額因子 0.02廁所 V GS柵源電壓 ±12 V的DV / DT峰值二極管恢復DV / DT, 5 V / NS T J, T STG結溫和存儲溫度范圍 -55到+ 150 C絕對最大額定值一個頂視圖 8 1 2 3 4五 6 7 D D D D G小號一個小號小號一個 04年8月10日熱阻額定值參數典型.最大.單位 RθJA最大結點到環境“ --- 50 °C / W
機譯版中文資料(1/9) 英文原版數據手冊(1/9)

*IRF740PBF中文資料的內容均為機器翻譯結果,僅供參考

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