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白小姐透码王: 集成電路/IRF540
商品型號:IRF540

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品牌:VISHAY(威世)
封裝:-
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  • 商品名稱:IRF540
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品類別:集成電路
  • 二級分類:集成電路
  • 商品型號:

    IRF540

  • 封裝規格:-
  • 商品編號:VISHAY1825089254
  • 商品重量:0.000100kg
IRF540中文資料
<a href = "/items/irf540-cn-1-id-187407.html">IRF540</a>中文資料第1頁精選內容:文件號碼:91021 WWW.VISHAY.COM S-81240-REV. A,2008年6月16日 1功率MOSFET IRF540,SIHF540 VISHAY SILICONIX特征 ?動態DV / DT額定值 ?重復性雪崩額定 ?175°C的工作溫度 ?快速切換 ?易于并聯 ?簡單的驅動器要求 ?無鉛(PB) - 可用描述來自VISHAY的第三代功率MOSFET提供設計師與快速切換的最佳組合,堅固耐用設備設計,低導通電阻和成本效益. TO-220封裝是所有人普遍的首選商用工業應用功耗電平約為50 W.低熱阻而TO-220的低封裝成本也是其廣泛的貢獻接受整個行業.筆記一個.重復評級;脈寬受最大結溫限制(見圖11). 灣 V DD = 25V,開始T J = 25℃,L =440μH,R G =25Ω,I AS = 28A(見圖12). C. I SD≤28 A,DI / DT≤170 A /μS,V DD≤V DS ,T J≤175°C. D.距離表殼1.6毫米.產品摘要 V DS (V) 100 R DS(ON) (Ω)V GS = 10V 0.077 Q G (MAX.)(NC) 72 Q GS (NC) 11 Q GD (NC) 32組態單 N溝道MOSFET G D小號 TO-220 G D小號可得到 ROHS指令*柔順訂購信息包 TO-220無鉛(PB) IRF540PBF SIHF540-E3錫鉛 IRF540 SIHF540 絕對最大額定值T C = 25°C,除非另有說明參數符號限制單元漏源電壓 V DS 100 V門源電壓 V GS ±20連續的漏極電流 V GS 在10 V T C = 25℃ 我 D 28一個 T C = 100℃ 20 脈沖漏電流 A 我 DM 110線性降額因子 1.0廁所 單脈沖雪崩能量 B E AS 230兆焦耳 重復性雪崩電流 A 我 AR 28一個 重復雪崩能量 A E AR 15兆焦耳最大功率耗散 T C = 25℃ P D. 150 W ^ 峰值二極管恢復DV / DT C的DV / DT 5.5 V / NS結溫和存儲溫度范圍 T J ,T STG - 55到+ 175 C焊接建議(峰值溫度)持續10秒 300 D安裝扭矩
IRF540關聯型號
機譯版中文資料(1/8) 英文原版數據手冊(1/8)

*IRF540中文資料的內容均為機器翻譯結果,僅供參考

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